Народився 3 липня 1957 р. в м. Ужгороді Закарпатської області. Закінчив з відзнакою фізичний факультет Ужгородського державного університету за спеціальністю ”Фізик. Викладач фізики” у 1978 р. Трудова діяльність: вчитель фізики Ужгородської вечірньої середньої школи №2 (08.1978 р. – 12.1978 р.); аспірант кафедри фізики напівпровідників Ужгородського державного університету (12.1978 р. – 01.1982 р.); молодший науковий співробітник лабораторії № 24 Всесоюзного науково-дослідного інституту монокристалів (02.1982 р. – 09.1983 р.); інженер-конструктор 1 категорії Спеціального конструкторського бюро засобів аналітичної техніки (09.1983 р. – 09.1984 р.); завідувач сектору відділу наукового приладобудування та радіаційних випробовувань матеріалів і конструкцій Спеціального конструкторсько-технологічного бюро з експериментальним виробництвом Інституту ядерних досліджень АН УРСР (10.1984 р. – 04.1992 р.); старший науковий співробітник відділу фізики кристалів Ужгородського відділення Інституту ядерних досліджень АН УРСР (04.1992 р. – 11.1992 р.); старший науковий співробітник, провідний науковий співробітник відділу фізики кристалів Інституту електронної фізики НАН України (11.1992 р. – до т.ч.).
16 квітня 1982 року рішенням спеціалізованої ради при Інституті напівпровідників АН УРСР (м.Київ) присуджено науковий ступінь кандидата фізико-математичних наук (тема дисертації ”Кінетика параметру порядку в системі одновісних сегнетоелектриків”, науковий керівник доктор фізико-математичних наук, професор Сливка В.Ю.). 25 червня 2004 року рішенням спеціалізованої ради при Інституті фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України (м.Київ) присуджено науковий ступінь доктора фізико-математичних наук (тема дисертації ”Індуковані високоенергетичним опроміненням ефекти у фосфідних і халькогенідних напівпровідниках”).
Має понад 100 наукових праць, опублікованих у фахових виданнях, зокрема в провідних журналах “Physical Review B”, “Journal of Physics: Condensed Matter”, “Solid State Communications”, “Physica E”, “Materials Research Bulletin”, “Physica Status Solidi (a)”, “Physica Status Solidi (b)”, “Physica Status Solidi (c)”, “Radiation Physics and Chemistry”, “Radiation Effects and Defects in Solids”, “Физика твердого тела”, “Journal of Optoelectronics and Advanced Materials”, “Fizika A”, “Український фізичний журнал”, “Condensed Matter Physics”, та 5 патентів і 2 авторські свідоцтва на винаходи, неодноразово виступав з науковими доповідями на різних семінарах і конференціях, у тому числі міжнародних.
Має багаторічний досвід досліджень і здобутки у галузі радіаційної фізики твердого тіла, фізики наносистем, фізики сегнетоелектриків. За результатами комплексних досліджень властивостей сегнетоелектриків Sn2P2S6–Sn2P2Se6 встановив існування точки Ліфшиця на фазовій діаграмі ”концентрація – температура фазового переходу”. Методами спектроскопії комбінаційного розсіювання світла виявив ефекти розупорядкування кристалічної гратки широкозонних напівпровідників A2B6 та A3B5, обумовлені дією високоенергетичного електронного опромінення; встановив особливості та закономірності процесів раманівського розсіювання від напівпровідникових нанокристалів на основі халькогенідів; встановив загальні закономірності зміни процесів оптичного поглинання у модельних напівпровідникових нанокристалах сульфіду-селеніду кадмію, інкорпорованих у боросилікатну матрицю, при дії зовнішніх факторів (високоенергетичного електронного та рентгенівського опромінення, гідростатичного тиску і температури); з’ясував вплив розмірного фактору на фазовий перехід у сегнетонапівпровідникових кристалах типу гексатіогіподифосфату олова та виявив основні тенденції процесів комбінаційного розсіювання світла від нанокристалів.
Гомоннай О.В. запропонував спосіб підвищення радіаційної стійкості силікатного скла; спосіб радіаційно-термічної обробки легованих монокристалів, який дозволяє підвищувати ступінь домішкової однорідності; інтерферометр для визначення локальних змін показника заломлення ізотропних твердих тіл та інтерферометричні аналізатори, що працюють за схемою Жамена, характеристики яких незалежні від впливу зовнішніх факторів (температури та тиску). Член вченої ради Інституту електронної фізики НАН України.
Основні публікації: Гомоннай А.В., Грабар А.А., Высочанский Ю.М. и др. Расщепление фазового перехода в сегнетоэлектрических твердых растворах Sn2P2(Sex S1?x)6 // ФТТ. – 1981. – Т. 23.–N 12. – С. 3602–3607.; Gomonnai A.V., Azhniuk Yu.M., Lopushansky V.V. et al. High-energy electron irradiation effects on CdS1?xSex quantum dots in borosilicate glass // Phys. Rev. B. – 2002. – V. 65 – No 24. – P. 245327-1–245327-7.; Gomonnai A.V., Azhniuk Yu.M., Vysochanskii Yu.M. et al. Raman and x-ray diffraction studies of nanometric Sn2P2S6 crystals // J. Phys.: Condens. Matter. – 2003. – V. 15. – No 37. – P. 6381–6393.; Azhniuk Yu.M., Milekhin A.G., Gomonnai A.V. et al. Resonant Raman studies of compositional and size dispersion of CdS1?xSex nanocrystals in glass matrix // J. Phys.: Condens. Matter. – 2004. – V. 16. – No 49. – P. 9069–9082.
Джерело: “Наукова еліта УжНУ”
(інформація станом на 2005 рік)
